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國內(nèi)產(chǎn)業(yè)結構
近年來，I國紫外uvled技術應用發(fā)展相對較快。 除了一些科研機構對UVLED的研究取得豐碩成果外，國內(nèi)LED公司也在紫外led領域上開放自己的市場。紫外led芯片的波長越短，技術難度就越大，紫外led芯片場越深具有廣闊的前景。
未來的研究方向
基于紫外led芯片的研究現(xiàn)狀，預計其未來的研究和發(fā)展方向將包括以下幾個方面：高質量的深紫外材料外延生長技術的研究； 高鋁成分的AlGaN材料生長技術和摻雜雜項技術； 深紫外LED結構設計；300nm以下的波長led器件芯片制作工藝和封裝技術；UV源模塊開發(fā)及其在醫(yī)療，消毒和凈化應用中的應用； 近紫外LED激發(fā)磷光體以制備高性能的白光LED。
未來的技術問題
將來要解決的技術問題是在藍寶石襯底上mocvd外延高質量AlN模板的增長；algan量子阱發(fā)光機理研究與結構控制技術；p型高al組分algan摻雜技術研究； 產(chǎn)量低歐姆接觸電極； 解決當前的擁塞效應；紫外led出光效率改進技術； 高效合成熒光材料； 耐熱，抗UV包裝材料的研究； 深紫外LED器件技術和封裝技術； 深海UVLED模塊開發(fā)的應用等。在國內(nèi)外眾多UVLED研究人員的共同努力下，相信紫外led芯片的應用前景將是光明的。